关键词：微晶硅薄膜；光电导衰退；模拟光照；光稳定性
摘 要：利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变功率密度和沉积压强制备了三系列微晶硅薄膜.采用拉曼光谱、XRD与电导率分析技术,研究在光照条件下微晶硅薄膜的光学特性,光电导衰退与晶化率、沉积速率、晶粒尺寸间的关系.研究发现:随着晶化率的增加,微晶硅薄膜的光电导衰退率逐渐减小；随着沉积气压的增加,相同晶化率的薄膜的光稳定性降低.在光照50h后,薄膜的光电导衰退基本达到饱和.