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光子晶体提高GaN基LED发光效率实验与工艺研究
作者:刘中凡;冯志庆;于乃森;杨天鹏;唐勇;吴胜利;Frank Muecklich;Christoph Pauly;Casten Gachot; 作者单位:大连民族学院物理与材料工程学院;大连路美芯片科技公司;德国萨尔大学; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:聚焦离子束;;激光干涉直写;;光子晶体LED;;发光效率
摘 要:采用聚焦离子束制备了500nm和1.5μm周期两种结构,使GaN基LED光效显著提高。比较长、短周期光子晶体提高光效的程度、制备工艺、设备及其相应的成本,宜采用长周期光子晶体结构来提高蓝光GaN基LED的发光效率。采用聚焦离子束和激光干涉两种方法,在GaN基LED导电层(ITO)上制备了长周期光子晶体,利用光纤光谱仪、显微镜和功率计对光提取效率进行了实验测试,结果表明长周期光子晶体LED比无光子晶体LED的光提取效率提高了90%以上。还采用激光干涉直写方法,以扫描的方式在较大面积上制备了光子晶体LED,确认了该方法及工艺批量化、低成本制备光子晶体的可行性。聚焦离子束方法虽然能够产生较精确的光子...
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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