关键词：MESFET;;单扇形偏置线;;交趾耦合滤波器;;ADS;;X波段;;二倍频器
摘 要：基于FET倍频原理,选取NEC公司型号为NE900100的金属半导体接触势垒场效应晶体管(Metal EpitaxialSemiconductor Field Effect Transistor,M ESFET),采用单扇形偏置电路代替传统高频短路块,同时采用新型四分之一波长交趾耦合滤波器取代传统隔直电容与滤波器,在ADS软件中设计了一种单板X波段微带二倍频器。仿真结果表明,输入功率为10 d Bm时毫米波二倍频器输出功率大于5 d Bm(11.8~12.2 GHz),谐波抑制大于15 d B。实验测试结果验证了该X波段二倍频器用于获取12 GHz频率源的有效性。与传统倍频器相比,此设计提供了一种低成本的设计路线。
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