关键词：关 键 词: CuInxGa1-xSe; 退火; 溅射后硒化; 均匀性; 同质结
摘 要：摘 要: 采用溅射后硒化法制备 CIGS 电池吸收层, 并在此基础上制备具有 glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的 CIGS 电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件, 电池光电转换效率从 4.91%提高到 14.01%。进一步研究发现, 退火有助于改善部分单层薄膜的性能, 但是其对电池性能的提升主要来自来于: 1) 退火促使 Cd2+扩散进入 CIGS 表面取代 VCu, 钝化浅能级缺陷的同时形成 n-CIGS, 使 p-n 结进入 CIGS 层内部, 从而大幅减少了界面复合中心; 2) 退火使得 CIGS 表面吸附的 H2O 分子...
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