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热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

作者单位：四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室,成都,610064 加工时间：2013-12-15 信息来源：材料导报

关键词：热蒸发法;第Ⅳ族半导体;Si纳米线;Ge纳米线;SiGe纳米线
摘要：系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.

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