关键词：衰减器；步进式衰减器；CMOS开关；低差损；低相位误差
摘 要：设计了一种具有低插入损耗低相位误差的5 位CMOS 集总式衰减器，该衰减器基于0.18μmCMOS 工艺，采用桥 T 和π型衰减结构，通过 NMOS 晶体管开关控制 5 个独立的衰减模块，在 5~20GHz的工作频段范围内实现步长 1dB、动态范围 0~31dB 的信号幅度衰减。其中，串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构，在不增加寄生电容的前提下，降低导通电阻；并联控制开关采用体端交流悬浮结构，以提高整体衰减器的线性度。较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿，以减小附加相移。版图仿真结果显示，该衰减器插入损耗最小为6.1dB，最大为12.6dB，各状态衰减量均方根小于0.5dB，附加相...
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