一年一度的影响力事件评选又在年末如约而至。每年，我们都会借影响力事件的评选，与读者共同回顾产业全年的发展。本期杂志依然从新材料涉及到的下游细分领域出发，对年度产业内外部的重大事件进行梳理，通过广泛调研、专家评议、重点讨论等方式，从中评选出具有代表性的事件，同时对这些事件发生的背景及意义进行点评。

评选出的影响力事件不仅仅发生在新材料的生产制造、销售等环节，而且还延伸到了整个产业链以及其所处的宏观环境。包括材料产业链上发生的，对材料业本身产生深刻影响的事件；材料业内部发生的，对社会产生重大影响的事件；以及对材料业发展产生重大影响的宏观环境变化及事件。《新材料产业》杂志透过年度事件的梳理及评选，记录中国新材料产业的发展历程。

近年来，受全球经济低迷的持续影响，国内外经济进入过渡和调整期。整体经济发展放缓，使得整个2013年新材料企业的活跃程度大为降低，有不少企业甚至面临着生存的考验，这使得2013年新材料产业影响力事件显得多少有些平淡。不过，党的十八届三中全会的召开为全社会释放出了积极的改革信号。政府将回归本位，正式确立“由市场决定”的原则性地位，保护产权，保护市场。可以预计，随着改革的深入，国内经济发展将释放出更大的改革红利，同时为下一个阶段的产业发展注入新的活力。

1.国家出台多层面政策扶持光伏产业

2013年8月7日，欧盟委员会在布鲁塞尔发布公告，宣布针对中国输出欧洲的光伏产品“反补贴”调查仍将继续，但目前暂时不会采取临时措施。这也就意味着，在中欧双方就光伏产品达成“价格承诺”协议之后，欧盟暂时不会向中国输欧光伏产品征收“反补贴”税，很大程度上避免了“贸易战”的爆发。

2013年8月26日，国家发展改革委出台了《关于发挥价格杠杆作用促进光伏产业健康发展的通知》（发改价格[2013]1638号），完善了光伏发电价格政策。《通知》规定，对光伏电站实行分区域的标杆上网电价政策。根据各地太阳能资源条件和建设成本，将全国分为3类资源区，分别执行每千瓦时0.9元、0.95元、1元的电价标准。对分布式光伏发电项目，实行按照发电量进行电价补贴的政策，电价补贴标准为每千瓦时0.42元。此次公布的电价标准高于市场预期，明确了光伏发电项目的投资回报，保障了业主或投资方的长期收益，国内光伏市场有望正式大规模启动。

2.中国科学家首次发现量子反常霍尔效应

2013年3月15日，《科学》杂志在线发文，宣布中国科学家领衔的团队首次在实验上发现量子反常霍尔效应。这一发现或将对信息技术进步产生重大影响。

这一发现由清华大学教授、中国科学院院士薛其坤领衔，清华大学、中国科学院物理所和斯坦福大学的研究人员联合组成的团队历时4年完成。在美国物理学家霍尔1880年发现反常霍尔效应133年后，终于实现了反常霍尔效应的量子化，这一发现是相关领域的重大突破，也是世界基础研究领域的一项重要科学发现。

由于人们有可能利用量子霍尔效应发展新一代低能耗晶体管和电子学器件，这将克服电脑的发热和能量耗散问题，从而有可能推动信息技术的进步。然而，普通量子霍尔效应的产生需要用到非常强的磁场，因此应用起来将非常昂贵和困难。但量子反常霍尔效应的好处在于不需要任何外加磁场，这项研究成果将推动新一代低能耗晶体管和电子学器件的发展，可能加速推进信息技术革命进程。

3.我国百吨级氧化石墨（烯）/石墨烯粉体生产线投产

11月18日，由常州第六元素材料科技股份有限公司自主研发的年产100t氧化石墨（烯）/石墨烯粉体生产线正式投产，这标志着该公司在石墨烯粉体产业化进程中实现了突破性的发展。

常州第六元素材料科技股份有限公司自2011年成立以来，在石墨烯粉体的研发、生产工艺、生产设备及产业化应用上，都取得了骄人的成绩。据悉，常州第六元素材料科技股份有限公司自主研发的年产100t氧化石墨（烯）/石墨烯粉体生产线，是国内首条实现大规模宏量制备、全自动控制的粉体石墨烯生产线，产品稳定性、一致性、可控性达到了设计指标，所采用的生产工艺技术以及设备，全部由常州第六元素材料科技股份有限公司自行设计，拥有完全的自主知识产权。

石墨烯这种在材料界产生革命性改变的材料，在信息技术、新能源、功能复合材料乃至生物医学等领域都具有广阔的应用前景。这一年产100t氧化石墨（烯）/石墨烯粉体生产线的正式投产，标志着我国石墨烯产业进程迈出了突破性的一大步，将大幅度降低其应用成本，推动石墨烯产品的广泛应用，使我国的石墨烯产业进入一个全新的领域。

4.MOCVD设备成功实现国产化

2013年初，国产MO C V D设备纷纷出炉，具有自主知识产权的MO C V D设备国产化成功，意味着相关技术长期被国外垄断的局面将被打破，国内L E D自主产业生态链也将更加完善。广东省中科宏微半导体设备有限公司（以下简称“中科宏微”）研制开发的量产型MOCVD设备在国内首次实现5台实际销售成绩，截至2013年10月，中科宏微的5台设备已经陆续交付客户；2012年12月6日，上海理想能源有限公司研制开发的MOCVD设备成功下线，并与客户签订了设备应用验证合同；2012年12月12日，中晟光电设备（上海）有限公司在客户的多次考察和验证各项工艺的基础上，成功开发出大型国产MOCVD设备；2012年12月27日，广东昭信集团第2代量产型MOCVD设备通过广东省科技厅专家组鉴定，该设备比其在2010年推出的第1代设备在产出率和可靠性等方面都有显著提升；2013年1月12日，光达光电设备科技（嘉兴）有限公司宣布，其研发的生产型MOCVD设备通过了量产120lm/W的工艺能力验证，并达成多项供货意向。

为打破国内LED产业受制于人的局面，《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》明确提出，“十二五”期间将“实现大型MO C V D设备及关键配套材料的国产化”。为此，从2011年开始，国内多家LED设备企业开始尝试推出国产化MOCVD设备。截至2012年年中，国内已有17家企业涉足MOCVD设备的研发。

据最新市场研究数据，随着LED照明应用的飞速发展，预计2013年国内对MOCVD设备的需求在300台左右，而在未来3 ～5年内，需求量更将激增至3 000台。

5.第三代半导体或将引发又一次照明革命

继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅Si C和G aN半导体材料，而Z n O、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。

2013年5月9日，美国奥巴马政府宣布成立3个新的国家制造业创新学院，分别是“数字化制造和设计创新(DMDI)”学院、“轻量制造和现代金属制造创新(LM3I)”学院及能源部领导的“清洁能源制造创新学院”。美国能源部网站显示，“清洁能源制造创新学院”将重点聚焦“宽禁带(WB G )半导体电力电子器件”技术的研究和发展，认为该技术将广泛应用于多个行业和市场，具备变革性的突破力量，将其上升到国家战略的高度，可确保美国在这一领域的优势地位。美国能源部对于宽禁带半导体的发展目标为：体积更小、速度更快、效率更高。具体包括：实现较高的功率转换及照明效率；提升在高电压及高温下的运作能力；达到更高的频率。

同美国等国家相比，我国宽禁带半导体技术亟待突破。不过令人欣喜的是，国家层面已经在一定程度上认识到了相关技术对节能减排、信息技术和国防军工等产业的价值，不断投入科研经费，鼓励相关单位进行技术研究，以求早日实现产业化方面的突破。

随着国外产业高速发展的刺激，加上国内政策方面的支持，国内的第三代半导体产业即将突破黎明前的黑暗。在半导体照明方面，我国的GaN基LED技术研发已接近国际先进水平。通过半导体照明技术的发展和普及，以及第三代半导体功率器件的研发和应用，到2020年，中国预计可实现年节电6 000亿kWh。