关键词：太阳电池组件；输出特性；阴影遮挡；旁通二极管
摘 要：结合太阳电池双二极管与雪崩击穿效应数学模型,设计太阳电池组件遮挡实验,并对组件性能进行实际测试.分别在有、无旁通二极管两种情况下,分析比较单片太阳电池小比例(1％～10％)、大比例(10％～100％)遮挡及多片电池阴影遮挡的太阳电池组件输出的I-V及P-V特性曲线.结果表明,有、无旁通二极管情况下,组件单片电池被遮挡1％～10％,整个组件输出功率下降比例均不超过2％,同一串电池片之间可允许存在小的功率差异或表面辐照强度差异(＜5％).同组件无旁通二极管多个电池遮挡实验显示,电池出现热斑效应时会被反向击穿,实验组件击穿电压约15V,为避免热斑损害,组件中应对少于15/0.6 =25片串联电池并联一个旁通二极管.