关键词：宽带；低相位噪声；低功耗；压控振荡器；锁相环；频率综合器
摘 要：基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计并实现了一个宽带低功耗低相位噪声的高性能压控振荡器(VCO).为实现1.3~2.2GHz调谐范围,VCO采用7-bit(128根调谐曲线)固定电容阵列,同时也获得了超低的增益,降低了相位噪声.为弱化宽调谐范围带来的增益波动,VCO采用3-bit可变电容阵列来提升低带曲线的斜率,以期与高带一致.为实现每根曲线的宽线性范围,可变电容采用分布式偏置电压技术.为降低相位噪声,还提出了一种输出零偏置架构以及电流源噪声滤除技术.测试结果表明,调谐电压的线性范围为0.2~1.6V;VCO输出频率范围为1.3~2.17GHz;高带调谐曲线叠合超过50%,低带超...
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