关键词：碳化硅;化学机械抛光;高锰酸钾;粗糙度;去除率
摘 要：研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO 4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光。研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO 4的浓度对抛光质量的影响。使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率。结果表明,适量的KMnO 4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量。
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