关键词：化学机械抛光;离子强度;双电层作用
摘 要：随着信息技术的发展,对半导体元件的加工精度有了更高的要求。化学机械抛光(CMP)作为半导体元件加工过程中的重要工艺,目前被广泛应用于中央处理器、硬盘、LED等电子元件的加工过程中。化学机械抛光的优点是可以实现全局以及局部平坦化以及可以适用于多种材料的加工。化学机械抛光过程十分复杂,其材料的去除与抛光液与抛光液中纳米颗粒的运动行为有密切关系,但是目前的机理尚不清楚。研究抛光颗粒的运动行为、影响因素及与抛光去除率的关系,对于揭示化学机械抛光的去除机理及超精表面的形成具有重要意义。本论文基于自主搭建的荧光颗粒观测系统,观察含有不同浓度硫酸钾的抛光液模拟抛光过程中的颗粒运动行为。实验结果表明随着硫酸钾...
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