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特高压晶闸管结终端造型技术
作者:高山城;李罛;吴飞鸟;吴涛;袁渊;何杉; 加工时间:2015-01-15 信息来源:半导体技术
关键词:结终端;变掺杂;类台面;阻断电压;通态电流;通态压降
摘 要:分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化。制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 m A);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化。成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压...
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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