关键词：材料；电子结构；光学性质；掺杂；第一性原理；Mo S2
摘 要：采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂均转变为p型半导体且导带向低能方向显著偏移,带隙减小,掺P和Si由K点转变为Γ点直接带隙、掺Al形成K-Γ间接带隙半导体;通过态密度和布局分析得出:掺杂改变载流子的浓度及杂质原子与S-3p、Mo-4d形成的杂化轨道,对光学性质产生相应影响,其中掺Al对Mo S2的光学性质影响最为显著,可增大Mo S2的静态介电常数、折射率n0,降低能量损失。
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