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基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器
作者:王巍;武逶;冯其;王川;唐政维;王振;袁军; 作者单位:重庆邮电大学光电工程学院; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:跨阻放大器;;CMOS;;并联电感峰化;;容性退化;;调节型共源共栅
摘 要:提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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