中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺
关键词:中芯国际;闪存技术;非挥发性记忆体;股票代码;纽约证交所;晶圆代工;集成电路制造;擦写;副总裁;业界标准;
摘 要:中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所代码:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布,其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势:强耐度:具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力,达
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