欢迎访问行业研究报告数据库

行业分类

当前位置:首页 > 报告详细信息

找到报告 1 篇 当前为第 1 页 共 1

中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺
作者单位:美通社; 加工时间:2013-12-20 信息来源:电子技术与软件工程
关键词:中芯国际;闪存技术;非挥发性记忆体;股票代码;纽约证交所;晶圆代工;集成电路制造;擦写;副总裁;业界标准;
摘 要:中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所代码:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布,其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势:强耐度:具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力,达
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
© 2016 武汉世讯达文化传播有限责任公司 版权所有
客服中心

QQ咨询


点击这里给我发消息 客服员


电话咨询


027-87841330


微信公众号




展开客服