不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响
作者：王英勇；童希立；靳国强；郭向云；郝建英
作者单位：中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,太原030001;中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,太原030001;中国科学院研究生院,北京100039;太原科技大学材料与工程学院,太原030024
加工时间：2013-12-15
信息来源：《材料导报》
关键词：碳化硅；纳米线；碳热还原；水玻璃；荧光
摘 要：以淀粉和工业水玻璃为原料,经过碳热还原反应制备出碳化硅纳米线.采用XRD、SEM、氮吸附-脱附和荧光光谱仪(PL)对所制备的样品进行表征,同时考察了碳硅比(物质的量比,下同)对碳化硅形貌、比表面积和荧光性能的影响.结果表明,当碳硅比为4.5时,合成的碳化硅为直的纳米线,比表面积为45m2/g,发光强度也达到最大.
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