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一种SRAM型FPGA抗软错误物理设计方法
作者:赵磊;王祖林;郭旭静;华更新; 作者单位:北京航空航天大学电子信息工程学院;北京控制工程研究所; 加工时间:2013-12-20 信息来源:电子与信息学报
关键词:现场可编程门阵列;;布局布线;;软错误;;单粒子翻转;;多位翻转
摘 要:针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA单粒子翻转引起软错误的问题,该文分析了单粒子单位翻转和多位翻转对布线资源的影响,提出了可以减缓软错误的物理设计方法。通过引入布线资源错误发生概率评价布线资源的软错误,并与故障传播概率结合计算系统失效率,驱动布局布线过程。实验结果表明,该方法在不增加额外资源的情况下,可以降低系统软错误率约18%,还可以有效减缓多位翻转对系统的影响。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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