关键词：氢稀释比；硅膜；两相结构；电学性能
摘 要：通过改变氢气对硅烷的稀释比R,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出具有非晶/微晶相变过渡区的氢化硅薄膜,并研究了所得硅膜在不同沉积阶段的微观结构和形貌、晶化效果和电学性能。研究结果表明,当R=10时,样品呈典型的非晶特性;随着氢稀释比的增大,薄膜表现出两相结构,且衬底表面处的非晶过渡层逐渐减薄,也即非晶向微晶的转变提前。但XRD结果显示,硅膜的晶化率和平均晶粒尺寸随着R的增加呈先增后减的趋势,在R=28.6时达到最大值。另外,暗电导率和载流子浓度表现出了与晶化率一样的变化趋势,显示出硅膜的电学性能与微观结构的高度正相关性。
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