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电子封装用AlSiC复合材料热导率影响因素探讨
作者:刘玫潭;凌嘉辉;刘家成;洪晓松;李国强; 作者单位:华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室;华南理工大学材料科学与工程学院;惠州雷士光电科技有限公司; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:AlSiC;;热导率;;基体;;粘结剂;;SiC
摘 要:采用模压成型和真空压力浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC)。物相和显微结构研究结果表明,此种方法制备的AlSiC复合材料,组织致密且大小两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界面反应控制良好,未出现Al4C3等脆性相。在此基础上,研究了基体金属、粘结剂用量、粗细SiC颗粒比例对复合材料热导率的影响。结果表明,以1A90高纯铝为基体的复合材料的热导率高于以6061铝合金为基体的复合材料的热导率;粘结剂用量减少时,复合材料热导率提高;当SiC体积分数一定时,AlSiC复合材料的热导率随增强体中粗颗粒SiC比例增大而增大。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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