关键词：低温等离子体射流；污秽；高温硫化硅橡胶；憎水性；接触角；扫描电镜
摘 要：为研究改善染污高温硫化硅橡胶(HTV)憎水性的方法,采用大气压下的介质阻挡放电(DBD)产生低温等离子体射流,对高岭土染污后的HTV试片表面进行处理。在不同处理时间、盐密及灰密情况下,测量了染污高温硫化硅橡胶表面的接触角,研究其随时间的变化情况。研究发现:染污高温硫化硅橡胶表面在经过较短时间的低温等离子体射流处理之后,其憎水性得到了明显改善,接触角>100°;并且随着迁移时间的增加,其憎水迁移速度明显加快,迁移5 h后接触角即>110°。在重污秽情况下,随着处理时间的增加,其憎水性也得到相应改善,但效果并不理想,接触角普遍<35°。通过对照试验及扫描电镜(SEM)成像可以得到该现象产生的原因是...
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