关键词：泡生法;蓝宝石;数值模拟;发射率;kyropoulos method;sapphire;numerical simulation;emissivity
摘 要：泡生法蓝宝石单晶生长过程中,由于生长周期长、温度高,热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变化,从而引起炉内温场的变化.通过计算机数值模拟,研究了钼屏发射率发生变化时,泡生法蓝宝石单晶生长中温场、流场的变化.模拟结果表明:随钼屏发射率增加,消耗功率也不断增加；在放肩阶段熔体等温线向下移动,流场也从2个涡流逐渐变成1个涡流；而在等径阶段和收尾阶段,这些变化都不明显.