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石英玻璃掩膜基板化学机械抛光的影响因素分析
作者:邵竹锋;田淑众;王佳佳;王慧;聂兰舰;王蕾;符博; 加工时间:2016-08-05 信息来源:《硅酸盐通报》编辑部(BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY PRESS)
关键词:石英玻璃;掩膜基板;化学机械抛光
摘 要:集成电路制造工艺需要大量的石英玻璃研磨基片,而且加工要求逐渐提高。文章采用双面抛光工艺对石英玻璃基体进行了化学机械抛光实验,发现氧化铝抛光粉适合用作粗抛光介质,氧化铈抛光粉适合用作精密抛光介质;另外本文试验了3种分散剂对抛光速率的影响,发现TX对抛光速率的提升较大;PH=9时抛光速率最快,而当PH大于9时对基体的表面形貌有所损伤。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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