SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究
作者：刘肃；贾晓云；陈达；刘林杰；薛忠营
作者单位：兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
加工时间：2013-10-15
信息来源：《材料导报》
关键词：薄膜；减压化学气相沉积；硅锗；负载影响
摘 要：利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理.分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性.结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜.
027-87841330