关键词：碳化硅;化学机械抛光;芬顿反应;抛光液;催化作用
摘 要：随着半导体行业和信息技术的高速发展与进步,对能在恶劣环境(工作温度高、频率大、电流功率大、辐射强度大)下工作的芯片需求越来越迫切。SiC作为第三代半导体材料具有导热能力强、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合用于制造在高温、强辐射环境下使用的高频高集成大功率电子元器件,在LED照明、宇航、汽车电子、计算机芯片等方面具有广大的应用前景,已经被广泛的关注和研究。单晶SiC材料的制造技术主要由两个部分组成：1.晶体的生长技术；2.晶圆的分切和晶片的加工技术。这两个部分对于晶片的最后成形和使用都不可或缺,其中晶片的加工技术是电子元器件生产的保证和基础。要想完美实现单晶SiC材料...
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