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MgB2超导材料掺杂研究进展
作者单位:贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵阳,550025 加工时间:2013-12-15 信息来源:材料导报
关键词:MgB2;临界电流密度;上临界场;SiC掺杂;有机物掺杂;MgB2;critical current density;upper critical field;SiC doping;hydrocarbon doping
摘 要:元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义.介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因.
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