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基于4T结构的高灵敏度CMOS图像传感器设计
作者:刘昌举;吴治军;祝晓笑;熊平;吕玉冰; 作者单位:重庆光电技术研究所; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:CMOS图像传感器;;PPD4T像元;;单斜率模数转换器;;低噪声
摘 要:基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD 4T像素结构、低噪声列级放大器电路结构,以及对版图的优化设计等措施实现了低噪声、高灵敏度的CMOS图像传感器设计。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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