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静电对GaN基白光LED可靠性的影响
作者:付三丽;杨维明;郭伟玲;陈建新;黄恒一; 作者单位:湖北大学物理学与电子技术学院;北京工业大学 北京市光电子技术实验室; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:LED;;静电;;可靠性
摘 要:对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数和光学参数的变化。从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验表明:LED样品的I-V特性曲线及光学参数,受反向静电打击的影响比较大,而受正向静电打击的影响不明显。LED样品在被反向静电打击后,芯片内部产生二次缺陷和熔融通道,导致其I-V曲线变形,光通量减小,老化性能衰减速率加快。在1 600V范围内,LED可靠性受正向静电影响不明显。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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