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磁控溅射MoO3半导体功能薄膜的制备与结构性能研究
作者:刘云辉;王波 作者单位:北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室,北京100124 加工时间:2014-01-15 信息来源:《材料导报》
关键词:MoO3薄膜;射频磁控溅射;微结构;接触角
摘 要:采用射频磁控溅射技术分别在Si(100)和玻璃衬底上通过调整不同的溅射功率和退火温度成功制备了MoO3薄膜.利用X射线衍射、扫描电镜、紫外可见光分光光度计、接触角测量等进行了表征和分析.X射线衍射表明400℃以上沉积的MoO3结晶薄膜属正交晶系,沿(0k0)(k=2n)取向择优生长,衍射峰强度和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;利用扫描电镜观察表面形貌,发现结晶的薄膜表面发生了不同程度的变化,由初期均匀分布的纳米细长状颗粒长大成二维片状结构;紫外可见光分光光度计测试表明,薄膜在可见光区具有良好的光学透过性,平均透过率达60%以上;接触角测量发现薄膜呈明显亲水性,通过后续的表面氟化改性热处理,实现了薄膜亲水-疏水的润湿性能转换.
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