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应变效应对半导体激光器输出波长的影响
作者:杨杰;李秀平;王善进;罗诗裕; 作者单位:东莞理工学院电子工程学院; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:量子阱;;应变效应;;能级漂移;;能级分裂
摘 要:假设应变效应仅出现在势阱底部,并可用方形势垒代替。在量子力学的框架下,对双阱结构的量子阱进行了讨论,并对输出波长的应变效应进行了分析。结果表明,在应变作用下,量子阱出现了能级漂移和能级分裂。正是这种效应为人们研制高性能量子阱光学器件提供了更大的设计空间。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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