微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展(续)
作者:赵正平;
加工时间:2015-01-15
信息来源:半导体技术
关键词:有源器件;薄膜电阻;GaN HEMT;MMIC;无源元件;输出功率;圆片;通孔;低噪声放大器;批量生产;
摘 要:3 MMIC技术在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的发展使GaN HEMT器件的电路应用能减少体积和质量,适应高频率的需求和批量生产。目前4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片级GaN MMIC加工线已经成熟,
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取