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抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
作者:李森;王胜利;李红亮;王辰伟;雷双双;刘启旭; 加工时间:2022-08-17 信息来源:电镀与涂饰
关键词:三维微同轴;;铜;;光刻胶;;化学机械抛光;;碱性抛光液;;去除速率
摘 要:研究了碱性抛光液的pH、SiO_2磨料质量分数、H_2O_2体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_2 5%,H_2O_2 20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://hbstl.hbstd.gov.cn/webs/homepage.jsp)获取
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