关键词：国产磁选态铯钟;电子倍增器;磁控溅射技术
摘 要：采用电子入射测试系统测试了目前国产小型磁选态铯钟电子倍增器的性能，相比国内敏化法与早期磁控溅射法，目前磁控溅射法研制电子倍增器增益提高了4倍，二次电子发射系数由4.6提高至5.4,暗电流指标降至0.5 pA以下，衰减速率由2 V/d降至0.1～0.7 V/d,使用寿命由2年提高至5年以上，部分可达20年。相比美国研制电子倍增器性能，增益与二次电子发射系数已接近，暗电流已达到，衰减速率还存在差距，具体表现不同器件衰减速率离散性更大。在后续的研究工作中，还需要继续降低电子倍增器的衰减速率，提高不同器件一致性。
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