关键词：硫代水杨酸;;电化学机械抛光;;铜;;反应机理
摘 要：随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机理难以阐明.通过对电位动态极化和ECMP试验,优化了工作电位,实现在2 V(饱和甘汞电极为参考电极)下进行ECMP,使工件表面粗糙度减少96.7%;并对试验中生成的缓蚀膜进行X射线能谱(EDS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和质谱分析,阐明了纯铜材料与TSA基电解液的反应机理,即2个TSA分子脱质子生成[C_(12)H_8(COO)_2SO_2]~(2-),[C_(12)H_8(COO)_2SO_2]~(2-)转化为[C_(14)H_8O_6S]~(4-),然后[C_(14)H_8O_6S]~(4-)与铜离子结合形成配位化合物[C_(14)H_8O_6SCu]~(2-);此外,在反应产物中检测到[C_(12)H_8(COOH)_2S_2](二硫代水杨酸,DTSA)的存在,为快速合成DTSA提供了新的可能.
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