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直流磁控溅射法制备本征ZnO薄膜及光伏应用研究
作者:杨志军;王波;张静全;冯良桓;武莉莉;李卫;黎兵; 作者单位:四川大学材料科学与工程学院; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:ZnO薄膜;;太阳电池;;直流溅射;;CdTe
摘 要:采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,研究了沉积过程中变换氧分压对薄膜光电性能的影响。采用XRD、紫外可见光分光光度计及AFM等方法对薄膜的结构和光电性质进行了表征。结果表明,ZnO薄膜在可见光范围内的透过率可达88%,并且随着氧分压的增大,薄膜的透过率也增大;制备出的ZnO薄膜表面粗糙度为0.41nm。在glass/ITO/CdS/CdTe结构的太阳电池中,将本征ZnO薄膜作为高阻层加入到ITO与CdS之间,电池的开路电压和填充因子有明显的提高,加入高阻层之后,电池的转换效率最高可达13.6%。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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