关键词：Pmn2_1-Li_2VSiO_4;电子结构;第一性原理
摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Pmn2_1-Li_2VSiO_4的结构参数、电荷密度与差分电荷密度、能带结构.结果发现,Pmn2_1-Li_2VSiO_4材料结构具备较好的结构稳定性;从电荷密度和差分电荷密度图可以看出,Li_2VSiO_4材料的电子键形成特点是离子键和共价键的混合;考虑自旋极化,计算得到自旋向上和自旋向下的电子能带结构,能带的带隙分别为1.75 eV和5.1 eV,用分波态密度分析了能带结构形成机理.
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取