CaCu2.7Ti4O12介电性能和J-E特征
作者单位：吴爽爽,莫兴婵,韦小圆,朱文凤,刘来君,WU Shuangshuang,MO Xingchan,WEI Xiaoyuan,ZHU Wenfeng,LIU Laijun(桂林理工大学材料科学与工程学院,桂林,541004)韦成峰,WEI Chengfeng(先进半导体材料(深圳)有限公司,深圳,518103)覃远东,QIN Yuandong(广西新未来科技股份有限公司,北海,536000)
加工时间：2014-06-15
信息来源：材料导报
关键词：CCTO陶瓷;电流-电压非线性;压敏电阻器;巨介电响应;CCTO ceramic;nonlinear current-voltage;varistor;giant dielectric response
摘 要：采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3 Ti4 O12 (CaCu2.7Ti4 O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响.结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4 O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数.采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素.保温30 h的CaCu2.7Ti4 O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中.
027-87841330