关键词：机械剥离石墨烯;;场效应晶体管;;掺杂;;量子点;;光电探测器
摘 要：2004年以来,优异的物理性质使得石墨烯这种新型的二维平面晶体具有多样独特的应用,为未来实现全碳基的电子电路和电子器件以及半导体电子信息技术的发展展现出新的研究方向。本论文采用机械剥离法制备石墨烯薄膜,围绕制备的GFET研究其电学性能,并深入了探究石墨烯的表面掺杂作用,拓展了其作为光电探测器的应用。论文采用机械剥离法在SiO_2/Si衬底上制备出单层石墨烯,尺寸在15~25μm。通过金相显微镜对石墨烯进行初步的层数确定和定位,再通过拉曼光谱中单层石墨烯I_G/I_(2D)
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