根据TrendForce集邦咨询最新发布的研报，第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值以SiC占80%为重，预计2023年全球SiC功率元件市场产值将达22.8亿美元，同比增长41.4%。SiC适合高压、大电流应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。集邦咨询指出，SiC功率元件的前两大应用为电动汽车与再生能源领域，2022年产值分别达10.9亿美元和2.1亿美元，分别占整体SiC功率元件市场产值的约67.4%和13.1%。车用方面，安森美与大众汽车（VW）签属战略协议，为VM提供EliteSiC 1200V主逆变器功率模块，该系列产品亦被起亚汽车（Kia Corporation）选中，用于EV6 GT车款；Wolfspeed与奔驰（Benz）深化合作关系，提供其电动汽车所需的SiC功率元件。再生能源方面，安森美也与Ampt合作，提供太阳能与储能系统优化器所需的SiC MOSFET；英飞凌的CoolSiC已导入台厂台达电（Delta）的双向逆变器中，应用于太阳能发电、储能、电动汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源（Bloom Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。SiC衬底在SiC功率元件中成本占比达49%，也是决定元件质量的关键。目前，Wolfspeed的SiC衬底市占率逾六成，最受市场重视。全球半导体厂商皆相当关注8英寸SiC衬底，在Wolfspeed率先开出8英寸SiC衬底产能的带领下，其他供应商将陆续跟上，并积极展开供应链上、下游合作。因此，TrendForce集邦咨询预计，到2026年全球SiC功率元件市场产值有望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值将达39.8亿美元，年复合增长率（CAGR）约38%；再生能源产值将达4.1亿美元，CAGR约19%。