关键词：VO2薄膜;射频磁控溅射;相变;VO2 thin film;RF magnetron sputtering;phase transition
摘 要：采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60 min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化.薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13％,电阻变化了1.8个数量级.