氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响
作者单位：田珊珊,魏志鹏,高娴,方铉,唐吉龙,楚学影,方芳,李金华(长春理工大学理学院,长春,130022)赵海峰(长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春130033)
加工时间：2014-07-15
信息来源：材料导报
关键词：InP;光致发光;硫钝化;表面态密度;Al2O3薄膜;InP;photoluminescence;sulfur passivation;surface state density;Al2O3 films
摘 要：利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2 O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2 O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.
027-87841330