以光辅助MOCVD法在有取向Ni衬底及LAO单晶衬底上制备YBCO外延膜的比较研究
作者单位：李善文,李伟,李国兴,张宝林,周本初,LI Shan-Wen,LI Wei,LI Guo-Xing,ZHANG Bao-Lin,CHOU Ben-Chu(集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012)陶伯万,TAO Bo-Wan(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)高忠民,GAO Zhong-Min(吉林大学化学学院,无机合成与制备化学国家重点实验室,长春130012)
加工时间：2014-03-15
信息来源：高等学校化学学报
关键词：YBa2Cu3O7-x(YBCO);Ni衬底;金属有机物化学气相沉积(MOCVD);光辅助MOCVD
摘 要：采用光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在生长有CeO2/YSZ/Y2 O3(YSZ为Y稳定的ZrO2)缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2 Cu3 O7_x(YBCO)外延膜生长,并与LaAlO3(100)[LAO(100)]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流密度(Jc)分别约为0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2.
027-87841330