关键词：β-Ga_2O_3;;单晶;;晶体加工;;机械剥离;;表面质量
摘 要：针对β-Ga_2O_3单晶易解理的特性,研究了晶体形状对其(100)主解理面的机械剥离影响。结果表明,棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂,而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离,并且成功剥离出尺寸大于30 mm×10 mm的β-Ga_2O_3单晶片。测试了剥离的β-Ga_2O_3单晶片微观形貌、表面粗糙度、晶体质量以及位错。结果显示,剥离的β-Ga_2O_3单晶片具有高的表面质量;原子力显微镜(AFM)测试表明,晶片整体表面粗糙度小于1 nm,存在0.5~1 nm厚的原子台阶;晶片X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试显示,其半高宽(FWHM)值低至50 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶片进行位错腐蚀,结果显示制备的β-Ga_2O_3晶片具有较低的位错密度,约为6×10~4 cm~(-2)。
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取