5411 篇
13916 篇
478308 篇
16343 篇
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3948 篇
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1255 篇
75732 篇
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12196 篇
1674 篇
2874 篇
3423 篇
642 篇
1242 篇
1980 篇
4929 篇
3895 篇
5517 篇
CMP抛光材料自主可控不断提升－电子化学品系列报告之三
CMP又称化学机械平坦技术，是使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备包括抛光、清洗、传送三大模块，其作业过程中，抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。目前的集成电路元件普遍采用多层立体布线，因此集成电路制造的前道工艺环节要进行多次循环。在此过程中，CMP技术是集成电路（芯片）制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺，是集成电路制造中推进制程技术节点升级的重要环节。
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027-87841330