关键词：IGBT;驱动隔离;驱动保护;发展趋势
摘 要：Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)门极驱动技术是目前变流器中应用最广泛的一种技术。本文主要介绍了IGBT门极驱动技术的隔离方式和发展趋势。重点分析了电动汽车领域的应用新需求，对未来IGBT门极驱动技术的发展趋势进行了展望，并指出了需要重点研究的方向和挑战。总之，IGBT门极驱动技术是IGBT能够正常工作和发挥优势的关键。通过对现状和发展趋势的研究，可以为进一步推动该技术的发展提供有益的参考。
内 容：原文可通过湖北省科技资源共享服务平台(https://www.hbsts.org.cn/)获取