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高硼含量的SiC陶瓷先驱体的合成和表征
作者单位:国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,长沙,410073 加工时间:2014-05-15 信息来源:高等学校化学学报
关键词:硼氢化反应;聚硼碳硅烷;裂解;先驱体转化陶瓷;Hydroboration;Polyboroncarbosilane;Pyrolysis;Polymer derived ceramics
摘 要:采用经典硼氢化反应,通过硼烷二级硫醚(BH3· SMe2)与二甲基二乙烯基硅烷(DVS)反应,合成了聚硼碳硅烷(PBCS)陶瓷先驱体,PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷.利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征;利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析.结果表明,聚合物的结构中含有B-C,Si-C和C-H键,在1000℃氮气气氛中,其陶瓷产率在50%以上.陶瓷产物在1100℃以无定形态存在,硼含量高达6.46%,在1300℃时出现明显结晶,形成B2O3,C和β-SiC三相组成的多元复相陶瓷,在1500℃以下陶瓷产物表面光滑,结构致密.
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