关键词：定向耦合器;;偏振分束器;;锗光电探测器;;全差分;;光束传播法;;Ge-on-SOI
摘 要：基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号。分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz。
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取