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硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程
作者:陈晨;杨洪星;何远东; 加工时间:2016-08-05 信息来源:微纳电子技术
关键词:硅-硅直接键合(SDB);机械减薄;平整度;弯曲度;翘曲度
摘 要:硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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