大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长
作者：周勇;孙迎波;周勋;刘万清;杨晓波;
作者单位：重庆光电技术研究所;
加工时间：2013-12-20
信息来源：半导体光电
关键词：InGaAs/GaAs;;大应变;;微带超晶格结构;;量子阱红外探测器;;MOCVD
摘 要：基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取
027-87841330