关键词：LB单层膜；倒锥形微结构；单晶硅；抗反射
摘 要：利用Langmuir-Blodgett( LB)技术在单晶硅表面转移岛状硬脂酸单层膜图案,通过各向异性的湿法刻蚀构筑倒锥形表面微结构.倒锥形结构的深度及表面抗反射性能主要与刻蚀的时间有关.这种方法结合了自组装面积大和湿法刻蚀成本低的优点,是一种廉价、高效的制备大面积抗反射微结构的方法,在降低光学器件和太阳能电池的成本方面具有潜在应用价值.