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化学刻蚀制备黑硅材料的研究现状及展望
作者:唐利斌;李学铭;廖承菌;杨培志 作者单位:昆明物理研究所,昆明650223;云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092 加工时间:2014-05-15 信息来源:《材料导报》
关键词:黑硅;化学刻蚀;金属催化;微纳结构
摘 要:基于黑硅材料的发展,讨论了国内外化学刻蚀制备黑硅的研究进展,包括掩膜辅助、金属离子辅助化学刻蚀.结果表明,黑硅材料的表面特殊结构能够有效降低硅表面的反射率,从而提高太阳能电池转换效率.此外,化学刻蚀法制备黑硅简便易行、成本低廉,高效可靠,具有良好的发展前景.
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